2013-2017年中国手机射频市场调研与投资前景预测报告
第一章手机射频基本概况 1
第一节手机射频 1
一、射频电路结构1
普通手机射频电路由接收通路、发射通路、本振电路三大电路组成。其主要负责接收信号解调；发射信息调制。早期手机通过超外差变频（手机有一级、二级混频和一本、二本振电路），后才解调出接收基带信息；新型手机则直接解调出接收基带信息（零中频）。更有些手机则把频合、接收压控振荡器（RX—VCO）也都集成在中频内部。
资料来源：智研数据中心整理
二、射频半导体工艺 1
射频半导体工艺——GaAs
半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作
下可以有80 %的功率增加效率(PAE: power addedefficiency)，非常的适用于高层(high tier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。
砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多，因此采用特殊的工艺，早期为MESFET金属半导体场效应晶体管，后演变为HEMT(高速电子迁移率晶体管)，pHEMT(介面应变式高电子迁移电晶体)目前则为HBT(异质接面双载子晶体管)。异质双极晶体管(HBT)是无需负电源的砷化镓组件，其功率密度(power density)、电流推动能力(current drive capability)与线性度(linearity)均超过FET，适合设计高功率、高效率、高线性度的微波放大器，HBT 为最佳组件的选择。而HBT 组件在相位噪声，高gm、高功率密度、崩溃电压与线性度上占优势，另外它可以单电源操作，因而简化电路设计及次系统实现的难度，十分适合于射频及中频收发模块的研制，特别是微波信号源与高线性放大器等电路。
砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4-6 英寸，比硅晶圆的12 英寸要小得多。磊晶圆需要特殊的机台，同时砷化镓原材料成本高出硅很多，最终导致砷化镓成品IC 成本比较高。磊晶目前有两种，一种是化学的MOCVD，一种是物理的MBE。
SiGe
1980 年代IBM 为改进Si 材料而加入Ge，以便增加电子流的速度，减少耗能及改进功能，却意外成功的结合了Si 与Ge。而自98 年IBM 宣布SiGe 迈入量产化阶段后，近两、三年来，SiGe 已成了最被重视的无线通信IC 制程技术之一。
依材料特性来看，SiGe 高频特性良好，材料安全性佳，导热性好，而且制程成熟、整合度高，具成本较低之优势，换言之，SiGe 不但可以直接利用半导体现有200mm 晶圆制程，达到高集成度，据以创造经济规模，还有媲美GaAs 的高速特性。随着近来IDM 大厂的投入，SiGe 技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdown voltage)过低等问题获得改善而日趋实用。
目前，这项由IBM 所开发出来的制程技术已整合了高效能的SiGe HBT(H eterojunction Bipolar Transistor)3.3V 及0.5μm 的CMOS 技术，可以利用主动或被动组件，从事模拟、RF 及混合信号方面的配置应用。
SiGe 既拥有硅工艺的集成度、良率和成本优势，又具备第3 到第5 类半
导体(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感，就可以采用SiGe 半导体技术集成高质量无源部件。此外，通过控制锗掺杂还可设计器件随温度的行为变化。SiGe BiCMOS 工艺技术几乎与硅半导体超大规模集成电路(VLSI)行业中的所有新技术兼容，包括绝缘体硅(SOI)技术和沟道隔离技术。
不过硅锗要想取代砷化镓的地位还需要继续在击穿电压、截止频率、功率消耗方面努力。
RF CMOS
RF CMOS 工艺可分为两大类：体硅工艺和SOI（绝缘体上硅）工艺。由于体硅CMOS 在源和漏至衬底间存在二极管效应，造成种种弊端，多数专家认为采用这种工艺不可能制作高功率高线性度开关。与体硅不同，采用SOI 工艺制作的RF 开关，可将多个FET 串联来对付高电压，就象GAAS 开关一样。
尽管纯硅的CMOS 制程被认为仅适用于数字功能需求较多的设计，而不适用于以模拟电路为主的射频IC 设计，不过历经十几年的努力后，随着CMOS 性能的提升、晶圆代工厂在0.25mm 以下制程技术的配合、以及无线通信芯片整合趋势的引领下，RF CMOS 制程不仅是学界研究的热门课题，也引起了业界的关注。采用RF CMOS 制程最大的好处，当然是可以将射频、基频与存储器等组件合而为一的高整合度，并同时降低组件成本。但是症结点仍在于RF CMOS 是否能解决高噪声、低绝缘度与Q 值、与降低改善性能所增加制程成本等问题，才能满足无线通信射频电路严格的要求。
目前已采用RF CMOS 制作射频IC 的产品多以对射频规格要求较为宽松的Bluetooth 与WLAN 射频IC，例如CSR、Oki、Broadcom 等Bluetooth 芯片厂商皆已推出使用CMOS 制造的Bluetooth 传送器；英特尔公司宣布已开发出能够支持当前所有Wi-Fi 标准（802.11a、b和g）并符合802.11n 预期要求的全CMOS 工艺直接转换双频无线收发信机原型，包括了5GHz 的PA，并轻松实现了发送器与接收器功能的分离。而Atheros、Envara 等WLAN 芯片厂商也在最近推出全CMOS 制程的多模WLAN(.11b/g/a)射频芯片组。
手机用射频IC 规格非常严格，但是坚冰已经被打破。Silicon Labs 最先以数字技术来强化低中频至基频滤波器及数字频道选择滤波器功能，以降低
CMOS 噪声过高的问题所生产的Aero 低中频GSM/GPRS 芯片组，英飞凌立刻跟进，也大量推出RF CMOS 工艺的产品，而高通在收购Berkana 后，也大力采用RF CMOS 工艺，一批新进射频厂家无一例外都采用RF CMOS 工艺，甚至是最先进的65 纳米RF CMOS 工艺。老牌的飞利浦、FREESCALE、意法半导体和瑞萨仍然坚持用传统工艺，主要是SiGe BiCMOS 工艺，诺基亚仍然大量使用意法半导体的射频收发器。而欧美厂家对新产品一向保守，对RF CMOS 缺乏信任，但是韩国大厂三星和LG 还有中国厂家夏新和联想，在成本压力下，大量采用RF CMOS 工艺的收发器。目前来看，缺点可能是故障率稍高和耗电稍大，并且需要多块芯片，增加设计复杂程度。但仍在可忍受的范围内。
其他应用领域还包括汽车的安全雷达系统，包括用于探测盲区的24GHz 雷达以及用于提供碰撞警告或先进巡航控制的77GHz 雷达；IBM 在此领域具备领导地位，2005 年推出的第四代SIGE 线宽有0.13 微米。
Ultra CMOS
SOI 的一个特殊子集是蓝宝石上硅工艺，在该行业中通常称为Ultra CMOS。蓝宝石本质上是一种理想的绝缘体，衬底下的寄生电容的插入损耗高、隔离度低。Ultra CMOS 能制作很大的RF FET，对厚度为150~225μm 的正常衬底，几乎不存在寄生电容。晶体管采用介质隔离来提高抗闩锁能力和隔离度。为了达到完全的耗尽工作，硅层极薄至1000A。硅层如此之薄，以致消除了器件的体端，使它成为真正的三端器件。目前，Ultra CMOS 是在标准6 寸工艺设备上生产的，8 寸生产线亦已试制成功。示范成品率可与其它CMOS 工艺相媲美。
尽管单个开关器件的BVDSS 相对低些，但将多个FET 串联堆叠仍能承爱高电压。为了确保电压在器件堆上的合理分压，FET 至衬底间的寄生电容与FET 的源与漏间寄生电容相比应忽略不计。当器件外围达到毫米级使总电阻较低时，要保证电压的合理分压，真正的绝缘衬底是必不可少的。
Peregrine 公司拥有此领域的主要专利，采用Ultra CMOS 工艺将高Q 值电感和电容器集成在一起也很容易。线卷Q 值在微波频率下能达到50。超快速数字电路也能直接集成到同一个RF 芯片上。该公司推出PE4272 和PE4273 宽带开关例证了UltraCMOS 的用处。这两个75Ω器件设计用于数字电视、PC
TV、卫星直播电视机顶盒和其它一些精心挑选的基础设施开关。采用单极双掷格式，它们是PIN 二极管开关的很好的替代品，它们可在改善整体性能的同时大大减少了元器件的数量。
两个器件1GHz 时的插入耗损仅为0.5dB、P1dB 压缩率为32dBm、绝缘度在1GHz 时高达44dB。两种器件在3V 时静态电流仅为8μA、ESD 高达2kV。PE4273 采用6 脚SC-70 封装，绝缘值为35dB。PE4272 采用8 脚MSOP 封装，绝缘值为44dB。10K 订购量时，PE4272 和PE4273 的价格分别为0.45 和0.30 美元。
和Peregrine 公司有合作关系的日本冲电气也开发了类似产品，冲电气称之为SOS技术，SOS技术是以“UTSi”为基础开发的技术。“UTSi”技术是由在2003年1月与冲电气建立合作关系的美国派更半导体公司（Peregrine Semico nductor Corp.）开发的。在蓝宝石底板上形成单晶硅薄膜，然后再利用CMOS 工艺形成电路。作为采用具有良好绝缘性的蓝宝石的SOS 底板，与硅底板和S OI（绝缘体上硅）底板相比，能够降低在底板上形成的电路耗电量。冲电气开发的RF 开关的耗电电流仅为15μA（电源电压为2.5～3V），与使用GaAs 材料的现有RF 开关相比，耗电量降到了约1/5。
Si BiCMOS
以硅为基材的集成电路共有Si BJT(Si-Bipolar Junction Transistor)、Si CMOS、与结合Bipolar与CMOS 特性的Si BiCMOS(Si Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)等类。由于硅是当前半导体产业应用最为成熟的材料，因此，不论在产量或价格方面都极具优势。传统上以硅来制作的晶体管多采用BJT 或CMOS，不过，由于硅材料没有半绝缘基板，再加上组件本身的增益较低，若要应用在高频段操作的无线通信IC 制造，则需进一步提升其高频电性，除了要改善材料结构来提高组件的fT，还必须藉助沟槽隔离等制程以提高电路间的隔离度与Q 值，如此一来，其制程将会更为复杂，且不良率与成本也将大幅提高。
因此，目前多以具有低噪声、电子移动速度快、且集成度高的Si BiCMOS 制程为主。而主要的应用则以中频模块或低层的射频模块为主，至于对于低噪声放大器、功率放大器与开关器等射频前端组件的制造仍力有未逮。
。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。更多内容请致电400-600-8596咨询
三、手机射频组成 6
1、收发器(Transceiver) 6
2、功率放大（PA） 6
3、前端（FEM）7
第二节手机射频系统8
一、普通手机的射频系统8
二、多模手机的射频系统（MULTI-BAND）（3G或准4G手机和智能手机）
8
第三节手机的射频系统占手机成本比重8
第四节实例解析8
一、第二代IPHONE 8
二、三星GALAXY S 4G射频系统9
第二章手机射频和基站通讯10
第一节移动通信基站基础概述10
一、系统构成10
1．系统的组成
蜂窝移动通信系统主要是由交换网路子系统（NSS）、无线基站子系统?BSS?和移动台（MS）三大部分组成.其中NSS与BSS之间的接口为"A"接口，BSS 与MS之间的接口为"Ｕｍ"接口。BSC和MSC之间的接口称为A接口，具体地说，A接口采用E1接口，Um接口是空中接口，是MS与BTS之间的通信接口。注：AUC：鉴权中心MSC：移动业务交换中心GMSC：入口MSC BSC：基站控制器BTS：基站收发信台HLR：归属位置寄存器VLR：拜访位置寄存器2．交换网路子系统（NSS）
MSC：对位于它所覆盖区域中的移动台进行控制和完成话路交换的功能实体，也是移动通信系统与其它公用通信网之间的接口。
VLR：是一个数据库，是存储MSC为了处理所管辖区域中MS（统称拜访客户）的来话、去话呼叫所需检索的信息。
HLR：也是一个数据库，是存储管理部门用于移动客户管理的数据。
AUC：用于产生为确定移动客户的身份和对呼叫保密所需鉴权、加密的三参数（随机号码RAND，符合响应SRES，密钥Ｋｃ）的功能实体。
EIR：也是一个数据库，存储有关移动台设备参数。
3．无线基站子系统（BSS）
BSS系统是在一定的无线覆盖区中由MSC控制，与MS进行通信的系统设备，它主要负责完成无线发送接收和无线资源管理等功能。功能实体可分为基站控制器（BSC）和基站收发信台（BTS）。
BSC：具有对一个或多个BTS进行控制的功能，它主要负责无线网路资源的管理、小区配置数据管理、功率控制、定位和切换等，是一个很强的业务控制点。
BTS：无线接口设备，它完全由BSC控制，主要负责无线传输，完成无线与有线的转换、无线分集、无线信道加密、跳频等功能。
二、BTS结构11
BTS包括下列主要的功能单元：收发信机无线接口（TRI）、收发信机子系统（TRS）。其中TRS包括收发信机组（TG）、本地维护。
TRI具有交换功能，它可使BSC和TG之间的连接非常灵活；TRS包括基站的所有无线设备；TG包括连接到一个发射天线的所有无线设备；LMT是操作维护功能的用户接口，它可直接连接到收发信机。
发信机子系统包括基站所有无线设备，主要有收发信机组（TG）和本地维护终端（LMT）。
一个收发信机组是由多个收发信机（TRX）组成，连接同一发射天线。
三、BTS的配置及分类11
1．BTS配置应符合以下要求：
*室内BTS应支持以下容量全向BTS应支持以下配置：1－4个TRX及4个2Mbit/sMbit/s端口。扇区BTS应支持以下配置：两扇区BTS，1+1个TRX 至2＋2个TRX及4个2Mbit/s端口。三扇区BTS，1+1+1个TRX至4＋4＋4
个TRX及4个2Mbit/s端口。
*室外BTS应支持以下容量全向BTS应支持以下配置：1－3个TRX及2个2Mbit/s端口。扇区BTS应支持以下配置：两扇区BTS，1＋1个TRX至2＋2个TRX及2个2Mbit/s端口。三扇区BTS，1＋1＋1个TRX至2＋2＋2个TRX及2个2Mbit/s端口。
*室外小型BTS应支持以下容量全向BTS应支持以下配置：1－2个TRX 及1个2Mbit/s端口。对以上配置，在运营者需要时，还应能在记录减小对实际运行影响的情况下扩容到更大的配置，且能在现场对BTS进行扩容。
*发射机合路器将一系列发射机的输出组合到一根天线上。
*接收机多路复用器接收机多路复用器应将ＲＸ天线的信号输出到一个小区内的所有TRX中。
* 天线任何类型天线应能承受风速为150Ｋｍ／ｈ的风力负载，天线的连接头处一般应在天线的下面。天线应有防结冰性能。
GSM移动通信基站天线具有如下特殊技术:
* 采用压低上半球近旁瓣和零值填充技术实现完美的方向图赋形。
* 天线阻抗设计为带内良好匹配,带外急剧恶化,从而提高抗干扰性。
* 关键辐射部件采用优良的导电材料和三防措施,确保天线电性能的稳定性。
* 馈电网络采取直流接地技术,提供良好的雷电保护。
* 馈电系统无导致交调干扰的接点。
* 通过特殊处理和避免不同金属材料连接,以防电耦腐蚀。
* 采用低损耗高屏蔽的馈线以提高天线电性能。
* 采用高精密的模具生产,确保批生产的一致性。
* 采用抗紫外线辐射、耐高低温、韧性高、密封性好的护罩,提高天线的使用寿命。
* 天线安装架设方便,调整灵活。
2.BTS的分类
在GSM基站设备的开发上各公司都推出了系列化的基站产品--从宏蜂窝的室内室外型基站到微蜂窝的室内室外型基站以及各种微微蜂窝基站产品，有些厂
商还推出了远端TRX形式的设备以达到具有丰富灵活的GSM无线网络组网方案，能够满足不同国家移动网络运营商的不同需求，提供全面的无线网络解决方案。各厂家的室外型基站设备设计思路相同，都是在各自室内型设备的设计方案基础上改造，增加适应恶劣环境所需的电源系统和环境调节及防护系统。从容量上分一般有小容量和大容量两种，典型的载频数为2TRX和6TRX。随着DCS1800频段的使用，单机柜载频数也开始出现4TRX、8TRX和12TRX。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。更多内容请致电400-600-8596咨询
四、测试指标12
五、移动通信基站作用及重要性分析13
第二节手机射频和基站通讯13
一、手机发射的射频13
二、手机与基站距离14
三、手机中射频的功率是自动可调14
第三节手机外观设计与天线集成14
第三章2011年中国手机行业总体运营态势研究15
第一节2011年中国手机行业整体运行情况15
一、总量规模与增长情况15
二、手机行业品牌情况 15
三、手机市场消费分析 20
第二节2011年中国手机行业发展分析20
一、上市手机产品结构特征20
二、新品手机品牌分布格局21
三、手机企业盈利性分析28
四、热销机型盘点29
第三节近几年中国手机行业数据监测36
一、2009-2011年中国手机制造行业主要数据监测分析 36
二、2009-2011年中国手机产量数据分析37
三、2009-2010年中国无绳电话机进出口数据分析37
第四节2011年中国手机行业售后服务分析38
一、手机行业质量问题分析38
二、中国手机售后服务调查38
三、手机行业用户搜索热点简况42
第四章2011年中国3G手机市场透析（4G手机）45
第一节2011年中国3G手机发展综述45
一、全球3G手机发展掀起新浪潮45
二、智能手机加速普及为3G手机发展奠定基础47
三、中国3G手机走向中低端市场47
四、中国3G商机催热手机电池的研发48
第二节2011年3G手机行业市场发展态势分析 49
一、中国3G手机市场争夺战打响49
二、中国3G手机收费标准公布50
三、3G为中国手机市场带来发展良机51
四、中国3G手机行业迎来曙光53
第三节2011年中国3G手机市场状况分析55
一、3G手机品牌结构55
二、3G手机不同制式市场结构 57
三、3G手机不同价位市场结构 58
第五章2011年中国智能手机市场调研情况60
第一节2011年中国手机市场发展综述60
一、手机排行榜再次变动60
2011年中国手机市场的品牌格局有了明显的转变，前15大品牌的累计关注比例位92.4%，较2010年下降了2.7%，前五大品牌的累计关注比例较2010
年下降了2.2%。最值得关注的是诺基亚的关注比例从2010年的45.1%下降至27.8%，并于2011年第四季度被三星取代了最受消费者关注的品牌位臵。
三星和HTC在2011年整体手机市场中仍然位居亚军和季军，关注比例均较2010年有明显的提高。2011年摩托罗拉的品牌关注比例较2010年翻了一番，且超过索尼爱立信来到第四位。另外，苹果依靠iPhone 4和iPhone 4S的高热度杀入了前五位。另外，本土品牌联想也较2010年上升了一位。
资料来源：ZDC、智研数据中心整理值得关注的是，本土手机品牌在2011年表现的相当出色，华为、中兴、纽曼均在2011年新登上中国手机品牌关注榜单，魅族也从2010年的第十五位上升至第十一位。
2010-2011年中国手机市场品牌关注比例对比
资料来源：ZDC、智研数据中心整理。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。更多内容请致电400-600-8596咨询
二、手机智能之路已无可逆转61
三、智能之路也有多种选择62
四、手机平台商重回产业链顶端63
五、智能手机行业面临的危机63
第二节2011年中国智能手机行业发展动态分析64
一、山寨引领智能机廉价时代来临64
二、智能手机市场硝烟弥漫商业模式制约其发展67
三、智能手机市场发展应借鉴PC生产模式69
四、“开源”操作系统助力智能手机市场发展70
第三节2011年中国智能手机市场消费调研71
一、智能手机购买动机分析71
二、智能手机品牌偏好 71
三、智能手机消费者满意度分析72
第四节2011年中国智能手机主要品牌运行态势分析73
一、诺基亚73
二、三星74
三、摩托罗拉74
第六章2011年中国手机射频行业与市场竞争力75
第一节全球手机射频市场现状与趋势75
一、全球手机射频市场规模75
二、全球手机射频市场主要厂家占有率 75
三、4G时代的手机射频76
四、4G时代的收发器77
五、3、4G时代的PA 77
六、全球手机频段分布预测78
第二节2011年中国手机射频行业格局78
一、手机射频芯片行业化分析78
二、手机射频功率控制环路设计80
三、手机射频芯片市场竞争激烈85
四、中国手机射频市场规模87
第三节2011年中国手机射频深度研究87
一、手机PA 87
二、手机PA与手机品牌厂家配套关系89
三、手机收发器89
第七章手机厂家及手机射频配置实例研究91
第一节外资品牌机91
一、诺基亚91
二、摩托罗拉92
三、三星94
四、索尼爱立信101
五、LG 101
第二节国产手机厂家平台研究104
一、天语（天宇朗通） 104
二、联想107
三、金立108
第三节智能手机射频配置实例109
一、三星GALAXYS4G 109
二、黑莓STORM 109
三、HTC TOUCH 109
四、索爱XPERIA X1 110
五、诺基亚7200 110
六、MOTO KRAVE ZN4 110
七、诺基亚N95 111
八、APPLE IPHONE 16GB 111
第八章2011年中国手机射频系统核心——砷化镓元件分析112
第一节砷化镓基础概述112
一、砷化镓基本属性112
二、砷化镓单晶生产技术113
第二节2011年中国砷化镓市场分析113
一、手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析113
二、用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制114
三、PA需求与砷化镓晶圆需求 118
第三节砷化镓未来在手机PA市场的发展潜能118
第九章2011年全球砷化镓元件及砷化镓晶圆代工重点厂商分析120
第一节全球手机射频系统核心——砷化镓元件生厂商及市场份额分析120
一、台湾的全新光电120
二、美国的KOPIN 121
三、英国的IQE 121
第二节全球手机射频系统——砷化镓晶圆代工生厂商分析122
一、台湾的稳懋半导体 122
二、宏捷科技122
三、美国的TRIQUINT 122
第十章2011年中国砷化镓生产厂商调查 124
第一节北京通美晶体技术有限公司124
一、企业概况124
二、企业主要经济指标分析124
三、企业盈利能力分析 125
四、企业偿债能力分析 125
五、企业运营能力分析 126
六、企业成长能力分析 126
第二节江苏中显机械有限公司126
一、企业概况126
二、企业主要经济指标分析127
三、企业盈利能力分析 127
四、企业偿债能力分析 128
五、企业运营能力分析 128
六、企业成长能力分析 128
第三节新乡市神舟晶体科技发展有限公司129
一、企业概况129
二、企业主要经济指标分析130
三、企业盈利能力分析 130
四、企业偿债能力分析 131
五、企业运营能力分析 131
六、企业成长能力分析 131
第四节东海县东方高纯电子材料有限公司132
一、企业概况132
二、企业主要经济指标分析132
三、企业盈利能力分析 132
四、企业偿债能力分析 133
五、企业运营能力分析 133
六、企业成长能力分析 133
第十一章2011年中国移动通信基站行业运行态势解析135 第一节2011年中国移动通信基站产重要性135
一、在第二行业中的地位135
二、在GDP中的地位135
第二节2011年中国移动通信基站现状综述136
一、中国移动通信基站行业特性分析136
二、中国移动通信基站建设规模136
三、移动通信基站建设同比增长率分析 137
四、移动通信基站行业技术现状138
第三节2011年中国移动通信基站设备领域探析141
第四节2011年中国移动通信基站行业景气度分析149
一、移动通信基站行业景气情况分析149
二、国际主要国家发展借鉴152
第五节2011年中国移动通信基站热点问题探讨153
第十二章2011年中国手机天线行业运行局势探讨157 第一节2011年中国手机天线行业运行概况157
一、中国手机天线所处发展阶段157
二、中国手机天线生产企业规模158
第二节2011年中国手机天线市场运行动态分析158
一、中国手机天线市场随着近几年手机产量的高速增长 158
二、2005-2011年我国手机天线市场出货量情况159
三、中国手机天线市场应用情况159
四、3G对中国手机天线的影响分析159
第三节2011年中国手机天线技术研究160
第四节2011年中国手机天线面临的挑战163
一、频带163
二、模式的增多164
第十三章2011年国内外手机射频厂家研究165
第一节SKYWORKS 165
一、企业概况165
二、SKYWORKS公司携单芯片封装的射频IC步入手机市场165
三、企业发展战略分析 166
第二节RFMD 167
一、企业概况167
二、RFMD扩展用于入门级3G手机的发射模组167
三、RFMD推出MICROSHIELD整合RF屏蔽技术168
四、RFMD推出用于多频带多模3G手机的开关滤波器模块169
第三节ANADIGICS 170
一、ANADIGICS砷化镓项目昆山开建170
二、ANADIGICS最新集成射频模块简化3G手机设计170
第四节AVAGO 171
第五节FREESCALE 172
第六节RENESAS 172
第七节TRIQUINT 173
第八节INFINEON（INTEL） 174
第九节QUACLOMM 174
第十节ST-ERICSSON 175
第十四章2011年中国手机射频重点企业研究177
第一节北京六合万通微电子技术股份有限公司177
一、企业概况177
二、企业手机射频领域发展动态178
三、企业发展战略分析 178
第二节天工通讯积体电路股份有限公司179
第三节鼎芯半导体（上海）有限公司181
第四节广晟微电子有限公司182
第五节锐迪科微电子（上海）有限公司183
第六节展讯通信有限公司183
第七节联发科技股份有限公司184
第十五章2013-2017年中国手机射频行业前景评估186 第一节2013-2017年中国手机行业前景预测186
第二节2013-2017年中国手机射频行业前景展望187
一、中国手机射频行业发展方向187
二、中国手机射频市场规模预测分析188
第三节2013-2017年中国手机射频行业新趋势预测分析189
一、手机用集成式射频前端模块发展趋势189
二、手机射频芯片发展最新趋势及动向 191
三、移动终端中三类射频电路的发展趋势193
第十六章2013-2017年中国手机射频行业投资前景预测200 第一节2011年中国手机射频投资环境分析200
1、手机行业发展现状
由于手机具备时尚性、便携性特征日益明显，以及功能更加全面，手机已成为全球最大类的个人电子消费产品。除2009 年受全球金融危机的影响外，近年来手机市场的容量不断增长，根据相关市场调研机构最新发布的数据，2011 年全球手机出货量已达到15.5 亿部。
资料来源：IDC、智研数据中心整理从行业格局来看，手机行业的集中度较高，根据相关研究机构发布的数据，2011 年全球前五名手机厂商的市场份额合计达到64.30%。